Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPB26CN10NG


ТранзисторIPB26CN10NG
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A35.00000
Idm, A140.0
Eas,mJ65.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns6.00
P, W71.000
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C2.100
Rds, Ohm0.02000
Ciss, pF1560.0
Coss, pF232.0
Crss, pF16.000
Qg, nC23.00
Qgs, nC9.00
Qgd, nC6.00
t on, nS10.00
t rise,ns4.00
t off,ns13.00
t fall,ns3.00
t rr, nS85.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
IPB26CN10NG Datasheet Infineon (Siemens)