Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPD082N10N3G


ТранзисторIPD082N10N3G
ТипN
Vds, V100
Vgs, V3.5
Idr, A80.00000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W125.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.00820
Ciss, pF3980.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC55.00
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • Others ()
IPD082N10N3G Datasheet Others