TIXER.RU

• 
  RM065-101, 100 Ом, Резистор подстроечный

  Купить
• 
  RC-64, шаг 1.27

  Купить
• 
  HC49SMD 30 MHz 16pF 30ppm

  Купить
• 
  Антенна GPS/AMPS(GSM) (3m RG174) SMA-P

  Купить

Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPB054N08N3G

Транзистор IPB054N08N3G Тип N Vds, V 80 Vgs, V 20.0 Idr, A 80.00000 Idm, A 320.0 Eas,mJ 210.0 Ear,mJ dV/dt,V/ns P, W 150.000 t min, °C -55 t max, °C 175 Rth, C 1.000 Rds, Ohm 0.00460 Ciss, pF 3570.0 Coss, pF 963.0 Crss, pF 36.000 Qg, nC 52.00 Qgs, nC 19.00 Qgd, nC 11.00 t on, nS 18.00 t rise,ns 66.00 t off,ns 38.00 t fall,ns 10.00 t rr, nS 72.0 Возможные корпуса TO-263 Производитель Infineon (Siemens) (http://infineon.com)

IPB054N08N3G Datasheet Infineon (Siemens)