TIXER.RU

• 
  П213

  Купить
• 
  К10-17б 27пФ 50в X7R 5%

  Купить
• 
  Текстолит FR4-2 1.0mm 150x200

  Купить
• 
  Модуль заряда ET Ch-3.7-59-TypeC

  Купить

Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI1012R-T1-E3

Транзистор SI1012R-T1-E3 Тип N Vds, V 20 Vgs, V 6.0 Idr, A 0.50000 Idm, A 1.0 Eas,mJ Ear,mJ dV/dt,V/ns P, W 0.150 t min, °C -55 t max, °C 150 Rth, C 0.000 Rds, Ohm 0.41000 Ciss, pF Coss, pF Crss, pF Qg, nC 0.75 Qgs, nC 0.08 Qgd, nC 0.23 t on, nS 5.00 t rise,ns 5.00 t off,ns 25.00 t fall,ns 11.00 t rr, nS Возможные корпуса SOT-416 Производитель Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)

SI1012R-T1-E3 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)