Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SI8451DB-T2-E1


ТранзисторSI8451DB-T2-E1
ТипP
Vds, V20
Vgs, V8.0
Idr, A10.80000
Idm, A15.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W13.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C7.000
Rds, Ohm0.06500
Ciss, pF750.0
Coss, pF160.0
Crss, pF100.000
Qg, nC10.00
Qgs, nC1.30
Qgd, nC2.70
t on, nS5.00
t rise,ns12.00
t off,ns45.00
t fall,ns30.00
t rr, nS25.0
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SI8451DB-T2-E1 Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)