TIXER.RU

• 
  Резистор С2-23 1,0W-47K-1%

  Купить
• 
  LQH32MN470K

  Купить
• 
  PLD-80 (2×40) Шаг 2.54

  Купить
• 
  D1MG, Корпус на DIN-рейку 18.1 x 90.2 x 57.5, светло-серый

  Купить

Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FMB12N50ES

Транзистор FMB12N50ES Тип N Vds, V 500 Vgs, V 30.0 Idr, A 12.00000 Idm, A Eas,mJ 460.8 Ear,mJ 18.0 dV/dt,V/ns 6.30 P, W 180.000 t min, °C t max, °C Rth, C 0.690 Rds, Ohm 0.42700 Ciss, pF 1400.0 Coss, pF 160.0 Crss, pF 11.500 Qg, nC 43.00 Qgs, nC 13.00 Qgd, nC 14.00 t on, nS 31.00 t rise,ns 18.00 t off,ns 83.00 t fall,ns 16.00 t rr, nS 370.0 Возможные корпуса T-PAK Производитель Fuji Electronics (http://www.fujielectric.com)

FMB12N50ES Datasheet Fuji Electronics