Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FMB16N50ES


ТранзисторFMB16N50ES
ТипN
Vds, V500
Vgs, V30.0
Idr, A16.00000
Idm, A
Eas,mJ485.0
Ear,mJ22.5
dV/dt,V/ns4.80
P, W225.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.560
Rds, Ohm0.33000
Ciss, pF1700.0
Coss, pF210.0
Crss, pF13.000
Qg, nC48.00
Qgs, nC17.00
Qgd, nC18.00
t on, nS37.00
t rise,ns30.00
t off,ns87.00
t fall,ns17.00
t rr, nS460.0
Возможные корпусаT-PAK
Производитель
  • Fuji Electronics (http://www.fujielectric.com)
FMB16N50ES Datasheet Fuji Electronics