Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор BUZ111S


ТранзисторBUZ111S
ТипN
Vds, V55
Vgs, V20.0
Idr, A80.00000
Idm, A320.0
Eas,mJ700.0
Ear,mJ30.0
dV/dt,V/ns6.00
P, W300.000
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C0.500
Rds, Ohm0.00650
Ciss, pF3600.0
Coss, pF1100.0
Crss, pF550.000
Qg, nC125.00
Qgs, nC18.00
Qgd, nC61.00
t on, nS25.00
t rise,ns30.00
t off,ns65.00
t fall,ns40.00
t rr, nS105.0
Возможные корпусаTO-220,TO-263
Производитель
  • Semiconductor Technology, Inc. (http://www.semi-tech-inc.com)
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
BUZ111S Datasheet Infineon (Siemens)