Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор 2N6661JAN


Транзистор2N6661JAN
ТипN
Vds, V90
Vgs, V20.0
Idr, A0.84000
Idm, A3.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W6.250
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C20.000
Rds, Ohm3.60000
Ciss, pF35.0
Coss, pF15.0
Crss, pF2.000
Qg, nC
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS6.00
t rise,ns
t off,ns8.00
t fall,ns
t rr, nS350.0
Возможные корпусаTO-205AD
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
2N6661JAN Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)