Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор MDP13N50GTH


ТранзисторMDP13N50GTH
ТипN
Vds, V500
Vgs, V30.0
Idr, A13.00000
Idm, A52.0
Eas,mJ580.0
Ear,mJ18.7
dV/dt,V/ns4.50
P, W187.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C0.670
Rds, Ohm0.39000
Ciss, pF1390.0
Coss, pF173.0
Crss, pF6.300
Qg, nC33.00
Qgs, nC10.40
Qgd, nC13.00
t on, nS57.00
t rise,ns54.00
t off,ns112.00
t fall,ns37.00
t rr, nS325.0
Возможные корпусаTO-220AB
Производитель
  • MagnaChip (http://www.magnachip.com)
MDP13N50GTH Datasheet MagnaChip