Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SSI1N50A


ТранзисторSSI1N50A
ТипN
Vds, V500
Vgs, V30.0
Idr, A1.50000
Idm, A5.0
Eas,mJ113.0
Ear,mJ3.6
dV/dt,V/ns3.50
P, W36.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C3.440
Rds, Ohm5.50000
Ciss, pF220.0
Coss, pF30.0
Crss, pF11.000
Qg, nC11.00
Qgs, nC1.60
Qgd, nC5.50
t on, nS12.00
t rise,ns13.00
t off,ns42.00
t fall,ns15.00
t rr, nS162.0
Возможные корпусаTO-262
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
SSI1N50A Datasheet FairChild (Samsung)