Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SSI1N60A


ТранзисторSSI1N60A
ТипN
Vds, V600
Vgs, V30.0
Idr, A1.00000
Idm, A3.0
Eas,mJ44.0
Ear,mJ3.4
dV/dt,V/ns3.00
P, W34.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C3.670
Rds, Ohm12.00000
Ciss, pF145.0
Coss, pF20.0
Crss, pF7.000
Qg, nC7.50
Qgs, nC1.20
Qgd, nC4.00
t on, nS10.00
t rise,ns13.00
t off,ns28.00
t fall,ns13.00
t rr, nS190.0
Возможные корпусаTO-262
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
SSI1N60A Datasheet FairChild (Samsung)