Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FDN357N


ТранзисторFDN357N
ТипN
Vds, V30
Vgs, V20.0
Idr, A1.90000
Idm, A10.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W0.460
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C75.000
Rds, Ohm0.05300
Ciss, pF235.0
Coss, pF145.0
Crss, pF50.000
Qg, nC4.20
Qgs, nC1.30
Qgd, nC1.70
t on, nS5.00
t rise,ns12.00
t off,ns12.00
t fall,ns3.00
t rr, nS
Возможные корпусаSuperSOT-3
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FDN357N Datasheet FairChild (Samsung)