Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FDG311N


ТранзисторFDG311N
ТипN
Vds, V20
Vgs, V1.5
Idr, A1.90000
Idm, A
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W0.480
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.11500
Ciss, pF270.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC4.50
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS
t rise,ns
t off,ns
t fall,ns
t rr, nS
Возможные корпусаSOT-363
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FDG311N Datasheet FairChild (Samsung)