Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FQB4N80


ТранзисторFQB4N80
ТипN
Vds, V800
Vgs, V30.0
Idr, A3.90000
Idm, A15.6
Eas,mJ460.0
Ear,mJ13.0
dV/dt,V/ns4.00
P, W130.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C0.960
Rds, Ohm2.80000
Ciss, pF680.0
Coss, pF75.0
Crss, pF8.600
Qg, nC19.00
Qgs, nC4.20
Qgd, nC9.10
t on, nS16.00
t rise,ns45.00
t off,ns35.00
t fall,ns35.00
t rr, nS575.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FQB4N80 Datasheet FairChild (Samsung)