Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FDN359BN


ТранзисторFDN359BN
ТипN
Vds, V30
Vgs, V20.0
Idr, A2.70000
Idm, A15.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W0.500
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C75.000
Rds, Ohm0.02600
Ciss, pF485.0
Coss, pF105.0
Crss, pF65.000
Qg, nC5.00
Qgs, nC1.30
Qgd, nC1.80
t on, nS7.00
t rise,ns5.00
t off,ns20.00
t fall,ns2.00
t rr, nS12.0
Возможные корпусаSuperSOT-3
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FDN359BN Datasheet FairChild (Samsung)