Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FDB12N50F


ТранзисторFDB12N50F
ТипN
Vds, V500
Vgs, V30.0
Idr, A11.50000
Idm, A
Eas,mJ456.0
Ear,mJ16.5
dV/dt,V/ns20.00
P, W165.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.750
Rds, Ohm0.59000
Ciss, pF1050.0
Coss, pF135.0
Crss, pF11.000
Qg, nC21.00
Qgs, nC6.00
Qgd, nC9.00
t on, nS21.00
t rise,ns45.00
t off,ns50.00
t fall,ns35.00
t rr, nS134.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FDB12N50F Datasheet FairChild (Samsung)