Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор IPD65R250E6


ТранзисторIPD65R250E6
ТипN
Vds, V650
Vgs, V20.0
Idr, A16.10000
Idm, A46.0
Eas,mJ290.0
Ear,mJ0.4
dV/dt,V/ns15.00
P, W208.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C0.600
Rds, Ohm0.23000
Ciss, pF950.0
Coss, pF60.0
Crss, pF
Qg, nC45.00
Qgs, nC5.00
Qgd, nC24.00
t on, nS11.00
t rise,ns9.00
t off,ns76.00
t fall,ns9.00
t rr, nS260.0
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
IPD65R250E6 Datasheet Infineon (Siemens)