Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор STB11NM80


ТранзисторSTB11NM80
ТипN
Vds, V800
Vgs, V30.0
Idr, A11.00000
Idm, A44.0
Eas,mJ400.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W150.000
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, C0.830
Rds, Ohm0.35000
Ciss, pF1630.0
Coss, pF750.0
Crss, pF30.000
Qg, nC43.60
Qgs, nC11.60
Qgd, nC21.00
t on, nS22.00
t rise,ns17.00
t off,ns46.00
t fall,ns15.00
t rr, nS612.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • STMicroelectronics (http://www.st.com)
STB11NM80 Datasheet STMicroelectronics