Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор MG8G6EM1


ТранзисторMG8G6EM1
ТипN * 6
Vds, V450
Vgs, V20.0
Idr, A8.00000
Idm, A16.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W100.000
t min, °C-40
t max, °C125
Rth, C
Rds, Ohm0.47000
Ciss, pF3100.0
Coss, pF
Crss, pF
Qg, nC
Qgs, nC
Qgd, nC
t on, nS250.00
t rise,ns200.00
t off,ns600.00
t fall,ns110.00
t rr, nS140.0
Возможные корпуса
Производитель
  • Toshiba (http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/index.html)
MG8G6EM1 Datasheet Toshiba