Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор H7N1004DS


ТранзисторH7N1004DS
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A25.00000
Idm, A75.0
Eas,mJ
Ear,mJ22.5
dV/dt,V/ns
P, W30.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C0.000
Rds, Ohm0.02500
Ciss, pF2800.0
Coss, pF240.0
Crss, pF140.000
Qg, nC50.00
Qgs, nC9.00
Qgd, nC11.00
t on, nS23.00
t rise,ns110.00
t off,ns70.00
t fall,ns9.50
t rr, nS45.0
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
H7N1004DS Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)