Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор H5N2008P

Транзистор	H5N2008P
Тип	N
Vds, V	200
Vgs, V	30.0
Idr, A	96.00000
Idm, A	192.0
Eas,mJ
Ear,mJ	153.0
dV/dt,V/ns
P, W	150.000
t min, °C	-55
t max, °C	150
Rth, C	0.833
Rds, Ohm	0.02000
Ciss, pF	4900.0
Coss, pF	850.0
Crss, pF	95.000
Qg, nC	98.00
Qgs, nC	25.00
Qgd, nC	44.00
t on, nS	60.00
t rise,ns	370.00
t off,ns	220.00
t fall,ns	270.00
t rr, nS	180.0
Возможные корпуса	TO-3P
Производитель	Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)

	H5N2008P Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)