Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор H7N1002AB


ТранзисторH7N1002AB
ТипN
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A75.00000
Idm, A300.0
Eas,mJ
Ear,mJ166.0
dV/dt,V/ns
P, W100.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C
Rds, Ohm0.00800
Ciss, pF9700.0
Coss, pF740.0
Crss, pF330.000
Qg, nC155.00
Qgs, nC35.00
Qgd, nC33.00
t on, nS43.00
t rise,ns245.00
t off,ns130.00
t fall,ns25.00
t rr, nS70.0
Возможные корпусаTO-220AB
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
H7N1002AB Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)