Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор PHB4ND40E


ТранзисторPHB4ND40E
ТипN
Vds, V400
Vgs, V30.0
Idr, A4.40000
Idm, A18.0
Eas,mJ190.0
Ear,mJ5.0
dV/dt,V/ns
P, W83.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C1.500
Rds, Ohm1.30000
Ciss, pF310.0
Coss, pF60.0
Crss, pF36.000
Qg, nC26.00
Qgs, nC2.00
Qgd, nC14.00
t on, nS10.00
t rise,ns30.00
t off,ns55.00
t fall,ns38.00
t rr, nS180.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Philips ()
PHB4ND40E Datasheet Philips