Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор TJ11A10M3


ТранзисторTJ11A10M3
ТипP
Vds, V100
Vgs, V20.0
Idr, A11.00000
Idm, A22.0
Eas,mJ37.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W24.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C5.200
Rds, Ohm0.10000
Ciss, pF3200.0
Coss, pF190.0
Crss, pF135.000
Qg, nC69.00
Qgs, nC9.40
Qgd, nC20.00
t on, nS28.00
t rise,ns12.00
t off,ns290.00
t fall,ns41.00
t rr, nS70.0
Возможные корпусаTO-220F
Производитель
  • Toshiba (http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/index.html)
TJ11A10M3 Datasheet Toshiba