Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIHB30N60E


ТранзисторSIHB30N60E
ТипN
Vds, V600
Vgs, V20.0
Idr, A29.00000
Idm, A
Eas,mJ690.0
Ear,mJ0.3
dV/dt,V/ns18.00
P, W250.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.500
Rds, Ohm0.10400
Ciss, pF2600.0
Coss, pF138.0
Crss, pF3.000
Qg, nC85.00
Qgs, nC15.00
Qgd, nC39.00
t on, nS19.00
t rise,ns32.00
t off,ns63.00
t fall,ns36.00
t rr, nS402.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIHB30N60E Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)