Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIHB12N60E


ТранзисторSIHB12N60E
ТипN
Vds, V600
Vgs, V20.0
Idr, A12.00000
Idm, A
Eas,mJ117.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns5.00
P, W147.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.850
Rds, Ohm0.38000
Ciss, pF937.0
Coss, pF53.0
Crss, pF5.000
Qg, nC29.00
Qgs, nC6.00
Qgd, nC13.00
t on, nS14.00
t rise,ns19.00
t off,ns35.00
t fall,ns19.00
t rr, nS350.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIHB12N60E Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)