Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIHB22N60E


ТранзисторSIHB22N60E
ТипN
Vds, V600
Vgs, V20.0
Idr, A21.00000
Idm, A
Eas,mJ367.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns11.00
P, W227.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.550
Rds, Ohm0.15000
Ciss, pF1920.0
Coss, pF90.0
Crss, pF6.000
Qg, nC57.00
Qgs, nC14.00
Qgd, nC26.00
t on, nS18.00
t rise,ns68.00
t off,ns59.00
t fall,ns54.00
t rr, nS460.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIHB22N60E Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)