Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SIHB24N65E


ТранзисторSIHB24N65E
ТипN
Vds, V650
Vgs, V20.0
Idr, A24.00000
Idm, A
Eas,mJ508.0
Ear,mJ
dV/dt,V/ns11.00
P, W250.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.500
Rds, Ohm0.12000
Ciss, pF2740.0
Coss, pF122.0
Crss, pF4.000
Qg, nC81.00
Qgs, nC21.00
Qgd, nC37.00
t on, nS24.00
t rise,ns84.00
t off,ns70.00
t fall,ns69.00
t rr, nS517.0
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SIHB24N65E Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)