Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор MTG9N50E


ТранзисторMTG9N50E
ТипN
Vds, V500
Vgs, V20.0
Idr, A9.00000
Idm, A36.0
Eas,mJ860.0
Ear,mJ7.0
dV/dt,V/ns
P, W70.000
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, C1.790
Rds, Ohm0.40000
Ciss, pF2900.0
Coss, pF350.0
Crss, pF75.000
Qg, nC88.00
Qgs, nC14.00
Qgd, nC45.00
t on, nS28.00
t rise,ns80.00
t off,ns80.00
t fall,ns60.00
t rr, nS600.0
Возможные корпусаTO-218-ISO
Производитель
  • Motorola ()
MTG9N50E Datasheet Motorola