Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор SQ1912EEH


ТранзисторSQ1912EEH
ТипN * 2
Vds, V20
Vgs, V12.0
Idr, A0.80000
Idm, A3.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W1.500
t min, °C-55
t max, °C175
Rth, C220.000
Rds, Ohm0.20000
Ciss, pF68.0
Coss, pF23.0
Crss, pF9.000
Qg, nC1.50
Qgs, nC0.20
Qgd, nC0.30
t on, nS34.00
t rise,ns51.00
t off,ns431.00
t fall,ns142.00
t rr, nS
Возможные корпусаSOT-363
Производитель
  • Vishay (Siliconix,General Semiconductor) (http://www.vishay.com)
SQ1912EEH Datasheet Vishay (Siliconix,General Semiconductor)