Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор MSAFA1N100D


ТранзисторMSAFA1N100D
ТипN
Vds, V1000
Vgs, V20.0
Idr, A1.00000
Idm, A4.0
Eas,mJ
Ear,mJ
dV/dt,V/ns
P, W
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, C
Rds, Ohm12.50000
Ciss, pF290.0
Coss, pF36.0
Crss, pF15.000
Qg, nC20.00
Qgs, nC1.00
Qgd, nC10.00
t on, nS6.30
t rise,ns5.80
t off,ns76.00
t fall,ns470.00
t rr, nS130.0
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Microsemi (http://www.microsemi.com)
MSAFA1N100D Datasheet Microsemi