4N35S

Бесплатная доставка по всей России*

Цена: 22 руб

Нет на складе

Характеристики 4N35S

Артикул	1304007004

Описание

Категория продукта:     Транзисторные выходные оптопары

RoHS:      Подробности

Тип входа:     DC

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:     30 V

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:     0.3 V

Напряжение изоляции:     3550 Vrms

Максимальное прямое напряжение диода:     1.5 V

Максимальный входной ток диода:     60 mA

Максимальный коллекторный ток:     100 mA

Максимальное рассеяние мощности:     350 mW

Максимальная рабочая температура:     + 100 C

Минимальная рабочая температура:     - 55 C

Максимальное обратное напряжение диода:     6 V

Количество каналов на чип:     1 Channel

Устройство вывода:     NPN Phototransistor

Тип выхода:     DC