Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MMBTH10-4LT1G


ТранзисторMMBTH10-4LT1G
ТипNPN
Vcb, V30
Vce, V25.0
Veb, V3.0
Ic, A
Ic max, A
P, W0.225
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, °C/W556.000
Vce sat. V0.50
hfe min120
hfe max
f, Hz800000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF0.7
t on, ns
t off, ns
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаSOT-23
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
MMBTH10-4LT1G Datasheet ON