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| Транзистор | Тип | Vce, V | Vge,V | Ic, A | Ic max, A | P, W | t min,C | t max,C | Rth,C | Vce sat. V | Cies,pF | Coes,pF | Cres,pF | t on, nS | t rise, nS | t off, nS | t fall, nS | Eon,mJ | Eoff,mJ | Etot,mJ | Qg, nC | Qgc,nC | Qge,nC | t rr,nS | Qrr, nC | Возможные корпуса | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SEG40660A | Single | 600.0 | 50.000 | 150.000 | 2.70 | 175.00 | TO-258 | ||||||||||||||||||||
| SELECTION |  | - | 600.0 | 23.000 | 100.000 | 1.95 | 0.540 | 80.00 | TO-220AB | ||||||||||||||||||
| SEMIX101GD066HDS | | - | 600.0 | 139.000 | 1.45 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX101GD126HDS | | - | 1200.0 | 129.000 | 1.70 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX101GD12E4S | | - | 1200.0 | 160.000 | 1.80 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX101GD12VS | | - | 1200.0 | 159.000 | 1.75 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GAL12E4S | | - | 1200.0 | 232.000 | 1.80 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GAL12VS | | - | 1200.0 | 231.000 | 1.75 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GAR12E4S | | - | 1200.0 | 232.000 | 1.80 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GB12E4S | | - | 1200.0 | 232.000 | 1.80 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GB12VS | | - | 1200.0 | 231.000 | 1.75 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GD066HDS | | - | 600.0 | 200.000 | 1.45 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GD126HDS | | - | 1200.0 | 168.000 | 1.70 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GD12E4S | | - | 1200.0 | 232.000 | 1.80 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX151GD12VS | | - | 1200.0 | 231.000 | 1.75 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX201GD066HDS | | - | 600.0 | 259.000 | 1.45 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX202GB066HDS | | - | 600.0 | 274.000 | 1.45 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX202GB12E4S | | - | 1200.0 | 314.000 | 1.80 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX202GB12VS | | - | 1200.0 | 310.000 | 1.75 | ||||||||||||||||||||||
| SEMIX223GB12VS | | - | 1200.0 | 323.000 | 1.85 |