Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC18T60UN


ТранзисторSIGC18T60UN
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A20.000
Ic max, A60.0
P, W
t min,C-55
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.80
Cies,pF1100.0
Coes,pF105.0
Cres,pF64.0
t on, nS15.00
t rise, nS8.50
t off, nS65.00
t fall, nS35.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC18T60UN Datasheet Infineon (Siemens)