Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор RJP63F3DPP-M0


ТранзисторRJP63F3DPP-M0
ТипSingle
Vce, V630.0
Vge,V30.0
Ic, A40.000
Ic max, A200.0
P, W30.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C4.17
Vce sat. V1.70
Cies,pF1250.0
Coes,pF48.0
Cres,pF22.0
t on, nS20.00
t rise, nS70.00
t off, nS50.00
t fall, nS100.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC36.0
Qgc,nC10.0
Qge,nC7.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-220FL
Производитель
  • Renesas (NEC, Hitachi) (http://ru.renesas.com)
RJP63F3DPP-M0 Datasheet Renesas (NEC, Hitachi)