Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор APT200GT60JRDL


ТранзисторAPT200GT60JRDL
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V30.0
Ic, A100.000
Ic max, A600.0
P, W595.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.21
Vce sat. V2.50
Cies,pF8650.0
Coes,pF546.0
Cres,pF1180.0
t on, nS72.00
t rise, nS160.00
t off, nS952.00
t fall, nS212.00
Eon,mJ9.193
Eoff,mJ19.290
Etot,mJ
Qg, nC946.0
Qgc,nC430.0
Qge,nC58.0
t rr,nS379.0
Qrr, nC2202.00
Возможные корпусаSOT-227
Производитель
  • Microsemi (http://www.microsemi.com)
APT200GT60JRDL Datasheet Microsemi