Справочник по полевым транзисторам. Datasheet на транзистор FDA28N50


ТранзисторFDA28N50
ТипN
Vds, V500
Vgs, V30.0
Idr, A28.00000
Idm, A
Eas,mJ2391.0
Ear,mJ31.0
dV/dt,V/ns5.00
P, W310.000
t min, °C
t max, °C
Rth, C0.400
Rds, Ohm0.12200
Ciss, pF3866.0
Coss, pF576.0
Crss, pF42.000
Qg, nC80.00
Qgs, nC21.00
Qgd, nC32.00
t on, nS56.00
t rise,ns126.00
t off,ns210.00
t fall,ns110.00
t rr, nS530.0
Возможные корпусаTO-3PN,TO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
  • Others ()
  • Shaoguang (MagnaChip) (http://www.shaoguang.com.cn)
FDA28N50 Datasheet Shaoguang (MagnaChip)